三星首家量產20nm級3bpc 64Gb閃存
三星電子今天宣布全球首家量產使用20nm級工藝，3bpc技術的64Gb容量NAND閃存。該閃存的量產，將在不久后推動USB閃盤和SD卡等產品容量、性能的大幅度提升。
3bpc閃存又稱TLC閃存，相比SLC每個存儲單元只能保存1bit數據，MLC閃存保存2bit數據，3bpc/TLC閃存的每個存儲單元（Cell）可保存3bit數據。即使用更少的存儲單元實現更大容量，主要面向閃存盤、存儲卡或其他消費電子設備。由于其讀寫壽命較短，通常不會用于固態硬盤，但SandForce已經表示其控制器方案可以控制讀寫次數，從而使用低成本的3bpc閃存。
Intel美光合資企業今年8月已經宣布成功研發25nm工藝64Gb 3bpc閃存，預計將于年底量產。三星此次宣布量產則依然沒有公布具體制程，僅表示“20nm級”（20nm-29nm）。
應用64Gb容量3bpc閃存，可以僅用一顆芯片打造8GB容量U盤或存儲卡。由于采用了Toggle DDR 1.0規范技術，三星新3bpc閃存性能相比30nm級SDR產品也有顯著提升。另外三星還表示，20nm級64Gb容量3bpc閃存的產出率比30nm級32Gb產品高60%，有助于大幅降低成本。
